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    SiC復(fù)合材料熱射流率檢測(cè)分析

    發(fā)布時(shí)間: 2022-07-25  點(diǎn)擊次數(shù): 695次

    SiC復(fù)合材料熱射流率檢測(cè)分析

    SiC復(fù)合材料熱射流率的測(cè)量
    SiC復(fù)合材料熱射流率的測(cè)量

    使用熱顯微鏡 TM3,您可以自由測(cè)量甚至是微小顆粒的熱射流率,這在以前是很困難的。粒徑約為 100 μm。顆粒是SiC(碳化硅)。用于下一代半導(dǎo)體材料(寬帶隙半導(dǎo)體)、研磨用磨粒等。

    嵌入樹脂中的填料的熱擴(kuò)散率的測(cè)量

    嵌入樹脂中的填料的熱擴(kuò)散率的測(cè)量
    嵌入樹脂中的填料的熱擴(kuò)散率的測(cè)量
    嵌入樹脂中的填料的熱擴(kuò)散率的測(cè)量

    迄今為止,僅使用填料無(wú)法測(cè)量熱射流率,但使用熱顯微鏡 TM3 已成為可能。可以單獨(dú)管理填料的熱物理特性。現(xiàn)在可以獲得進(jìn)一步提高材料導(dǎo)熱性的必要數(shù)據(jù)。

    樣品 1 每種填料的熱流出率測(cè)量結(jié)果 (14800 ± 1000 Js -0.5 m -2 K -1 )
    顆粒劑相位滯后/度幅度/毫伏熱射流率 /
    Js -0.5 m -2 K -1
    平均值標(biāo)準(zhǔn)差平均值標(biāo)準(zhǔn)差
    顆粒110.10.81.060.0213500±700
    顆粒28.51.11.010.0215000±1300
    顆粒 310.80.71.120.0313000±700
    顆粒47.0 7.00.81.030.0316400±1000
    顆粒 57.21.10.730.0216200±1300
    樣品 2 每種填料的熱流出率測(cè)量結(jié)果 (15200 ± 1000 Js -0.5 m -2 K -1 )
    顆粒劑相位滯后/度幅度/毫伏熱射流率 / Js -0.5 m -2 K -1
    平均值標(biāo)準(zhǔn)差平均值標(biāo)準(zhǔn)差
    顆粒18.11.51.040.0315300±1600
    顆粒27.21.01.040.0216200±900
    顆粒 39.41.00.750.0414200±1100
    顆粒47.5 7.51.40.900.0315900±1100
    顆粒 59.00.90.850.0314500±800


    SiC復(fù)合材料熱射流率原理

    在樣品上形成金屬薄膜,并用加熱激光定期加熱。

    1. 由于金屬的反射率具有隨表面溫度變化的特性(熱電阻法),因此通過(guò)捕捉與加熱激光同軸照射的檢測(cè)激光的反射強(qiáng)度變化來(lái)測(cè)量表面的相對(duì)溫度變化。 .

    2. 熱量從金屬薄膜傳播到樣品,導(dǎo)致表面溫度響應(yīng)出現(xiàn)相位延遲。該相位延遲取決于樣品的熱特性。通過(guò)測(cè)量加熱光和檢測(cè)光之間的相位延遲來(lái)獲得熱射流率。


    熱物理顯微鏡的測(cè)量原理(概述)




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